Metòd ki pi senp pou pwodui carbure Silisyòm enplike nan fonn sab silica ak kabòn, tankou chabon, nan tanperati ki wo - jiska 2,500 degre Sèlsiyis. Pi fonse, vèsyon ki pi komen nan carbure Silisyòm souvan gen ladan fè ak enpurte kabòn, men kristal pi SiC yo san koulè epi yo fòme lè carbure Silisyòm sublime nan 2,700 degre Sèlsiyis. Apre chofaj, kristal sa yo depoze sou grafit nan yon tanperati ki pi ba nan yon pwosesis ke yo rekonèt kòm metòd Lely.
Metòd Lely: Nan pwosesis sa a, yon creuset granit chofe nan yon tanperati ki wo anpil, anjeneral pa endiksyon, sublime poud carbure Silisyòm lan. Baton grafit tanperati ki pi ba a se nan yon melanj gaz, ki pèmèt pi bon kalite carbure Silisyòm presipite ak fòme kristal.
Depozisyon chimik vapè: Altènativman, manifaktirè yo grandi kib SiC lè l sèvi avèk depo chimik vapè, ki se souvan itilize nan pwosesis sentèz kabòn ki baze sou epi yo itilize nan endistri a semi-conducteurs. Nan metòd sa a, yon melanj chimik espesyal nan gaz yo prezante nan yon anviwònman vakyòm ak konbine anvan yo depoze sou yon substra.
Tou de metòd pou pwodwi wafers carbure Silisyòm mande yon gwo kantite enèji, ekipman ak konesans pou yo reyisi.
